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論文

Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped $$beta$$-Ga$$_{2}$$O$$_{3}$$(001)

Tsai, Y. H.*; 小畠 雅明; 福田 竜生; 谷田 肇; 小林 徹; 山下 良之*

Applied Physics Letters, 124(11), p.112105_1 - 112105_5, 2024/03

https://doi.org/10.1063/5.0198160
 被引用回数：0

Recently, gallium oxide (Ga$$_{2}$$O$$_{3}$$) has attracted much attention as an ultra-wide bandgap semiconductor with a bandgap of about 5 eV. In order to control device properties, it is important to clarify the chemical state of dopants and doping sites. X-ray absorption near edge structure (XANES) and hard X-ray photoemission spectroscopy were used to investigate the dopant sites and chemical states of Sn in Sn-doped $$beta$$-Ga$$_{2}$$O$$_{3}$$(001) samples. The results show that the chemical state of the Sn dopant is the Sn$$^{4+}$$ oxidation state and that the bond lengths around the Sn dopant atoms are longer due to the relaxation effect after Sn dopant insertion. Comparison of experimental and simulated XANES spectra indicates that the octahedral Ga substitution site in $$beta$$-Ga$$_{2}$$O$$_{3}$$(001) is the active site of the Sn dopant.

論文

Emission rates of CH/CD and C$$_{2}$$ spectral bands for hydrocarbon-loss-events measured in JT-60U divertor plasmas

仲野 友英; 都筑 和泰; 東島 智; 久保 博孝; 朝倉 伸幸

Europhysics Conference Abstracts (CD-ROM), 29C, 4 Pages, 2005/00

http://epsppd.epfl.ch/Tarragona/pdf/P5_007.pdf

CH$$_4$$, CD$$_4$$及びC$$_2$$H$$_6$$が解離,電離及び輸送により損失するまでにCH及びC$$_2$$スペクトルバンド光を放出する確率をJT-60Uのダイバータプラズマを用いて計測した。取得されたデータは化学スパッタリングによって発生する炭化水素の発生量を分光計測により評価するために用いられる。1つのCH光子放出に対するCH$$_4$$の損失事象の回数は電子温度30eVから70eVの範囲でおよそ200であった。CD$$_4$$に対しても同様の計測を行ったところ、CH$$_4$$と有意な差は観測されなかった。また、CH光子及びC$$_2$$光子放出に対するC$$_2$$H$$_6$$の損失事象の回数はそれぞれ200-300及び600-1800であり、CHとC$$_2$$スペクトルバンド光の強度比は3-6であった。化学スパッタリングによって発生する炭化水素のうちC$$_2$$H$$_6$$のみによってC$$_2$$スペクトルバンドが放出されると仮定すると、求めたCHとC$$_2$$の強度比からC$$_2$$H$$_6$$に由来するCHスペクトルバンド光の強度を求められる。その強度は観測されたCHスペクトルバンド光強度を超える強度となった。この結果は、C$$_2$$H$$_6$$は化学スパッタリングによって発生する炭化水素のうち少数でありCHとC$$_2$$の強度比の小さな炭化水素(C$$_2$$H$$_4$$など)が多数を占めることを示唆する。

論文

New laser decontamination technique for radioactively contaminated metal surfaces using acid-bearing sodium silicate gel

亀尾 裕; 中島 幹雄; 平林 孝圀*

Journal of Nuclear Science and Technology, 41(9), p.919 - 924, 2004/09

https://doi.org/10.3327/jnst.41.919
 被引用回数：13 パーセンタイル：61.44(Nuclear Science & Technology)

放射性金属廃棄物に対する新規除染技術として、ケイ酸ナトリウムと酸から調製したゲル除染剤を用いたレーザー除染法について検討した。$$^{60}$$Coトレーサーを塗布した模擬汚染試料及び動力試験炉(JPDR)の一次冷却系統から切り出した実汚染試料に本除染法を適用したところ、2$$sim$$3回の除染で99%以上の放射能($$^{60}$$Co)を除去することができた。除染反応におけるレーザー照射の効果を明らかにするため、腐食生成物層中の酸素及び鉄の化学結合状態をX線光電子分光分析装置で調べた。その結果、ゲル除染剤による腐食生成物層の溶解が、レーザー照射を行うことにより大幅に促進されることがわかった。

論文

The Roles of adsorbate-substrate interaction and adsorbate-adsorbate interaction in core-hole induced fragmentation

関口 哲弘; 馬場 祐治

Atomic Collision Research in Japan, No.24, p.118 - 119, 1998/11

単分子~多分子吸着層表面について、脱離イオンのフラグメントパターンと脱離収量の励起光エネルギー依存性を測定し、電子励起に起因する表面解離反応における凝集効果を調べた。試料系としてはSi-F結合とSi-C結合を選択して励起でき、結合切断パターンがどう変わるかが興味深いSi(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$Fを低温銅(111)基板上に凝縮させたものを用いた。単分子層で得られた結果の特徴はCH$$_{3+}$$,F$$^{+}$$など軽いイオンが脱離すること、特にF$$^{+}$$は$$sigma$$$$^{+}$$(Si-F)共鳴励起でのみ生じることである。多分子層ではSiX$$_{3}$$,(X=CH$$_{3}$$,F)や親イオンなど大きなフラグメントが生成し、共鳴励起よりもイオン化連続状態で増加した。低分子層では直接解離によるフラグメント生成のみが起こるためそれが主過程となる。一方、約3~5分子層以上では直接解離との競争過程として多価イオンを経由し複数の分子が関与するような間接的過程が主過程となると結論した。

論文

Development of a new neptunium separation process by using photochemical reduction in nuclear fuel reprocessing

内山 軍蔵; 木原 武弘; 宝徳 忍; 藤根 幸雄; 前田 充

Radiochimica Acta, 81(1), p.29 - 32, 1998/00

https://doi.org/10.1524/ract.1998.81.1.29

核燃料再処理工程において、ネプツニウムを6価(Np(VI))から5価(Np(V))に光還元することで選択的に効率良く分離するプロセスについて検討した。実験は、Np(VI)-U(VI)-30%TBP(リン酸トリブチル)-70%$$eta$$DD($$eta$$-ドデカン)-3M硝酸溶液系で行い、Np(VI)の還元率及び分離率を測定した。光化学セルを組み込んだミキサセトラ型抽出器を用いた、UとNpの相当分離実験において、Uとともに供給したNpの約90%がNp(V)に光還元され、また水相に抽出されて、ウランと分離された。本実験の結果は、Np(VI)を光還元的Np(V)にし、U等と分離する方法として有効であることを示している。

報告書

Annual report of the Osaka Laboratory for Radiation Chemistry, Japan Atomic Energy Research Institute, No.28; April 1, 1994$$sim$$March 31, 1995

大阪支所

JAERI-Review 95-015, 67 Pages, 1995/10

JAERI-Review-95-015.pdf:2.01MB

本報告書は、大阪支所において、平成6年度に行われた研究活動をまとめたものである。主な研究題目は、レーザー有機化学反応の研究と放射線加工技術の基礎研究であり、本報告書では以下の研究活動について詳細に述べる。レーザー光による物質変換、レーザー光による高分子の表面化学反応、放射線重合による微細加工、放射線による金属微粒子の合成、線量測定および照射施設の運転・管理。

報告書

Annual report of the Osaka Laboratory for Radiation Chemistry, Japan Atomic Energy Research Institute, No.26; April 1, 1992 - March 31, 1993

大阪支所

JAERI-M 94-017, 58 Pages, 1994/03

JAERI-M-94-017.pdf:1.65MB

本報告書は、大阪支所において、平成4年度に行われた研究活動をまとめたものである。主な研究題目は、エキシマレーザー光照射による高付加価値化合物の合成、高機能性付与のための高分子表面改質、電子線による重合反応、$$gamma$$線による金属微粒子の合成および線量測定の研究などである。

論文

Study for reprocessing improving separation efficiency of Np

内山 軍蔵; 藤根 幸雄; 宝徳 忍; 前田 充

Proc. of the 3rd Int. Conf. on Nuclear Fuel Reprocessing and Waste Management,Vol. 2, p.723 - 728, 1991/00

再処理共除染工程においてNpをU・Pu製品流から分離すめためのプロセスの改良研究を行なった。有機溶媒(TBP/希釈剤)にU及びPuとともに抽出されているNpを逆抽出し分離するにはNpのみ選択的に6価から5価に還元する必要がある。本研究ではNpの選択的還元分離法として(1)有機試薬法、(2)電解法及び(3)光化学法の3法を取り上げ、各法の有効性の確認実験を行なった。有機試薬法では、$$eta$$-ブチルアルデヒドが選択性及び反応速度の点で優れていることを確認した。電解法では、電位を制御する方法が有効であることが判明した。電位制御範囲は白金電極では200-650mV(対飽和カロメル電極)が考えられた。光化学法では紫外線照射により硝酸溶液中に生成する亜硝酸により間接的にNpのみ還元できることがわかった。これらの技術の有効性は、現在建設中のNUCEF施設における実液を用いたホット試験によりさらに確認する予定である。

報告書

Annual Report of the Osaka Laboratory for Radiation Chemistry, No.21; April 1, 1987 - March 31, 1988

大阪支所

JAERI-M 90-054, 57 Pages, 1990/03

JAERI-M-90-054.pdf:1.27MB

本報告書は大阪支所において昭和61年度に行われた研究活動をまとめたものである。主な研究題目は、ポリイミドフィルムへの鉄の注入、希ガスイオンの注入、メタノールの光化学反応、グラフト重合によるPETの表面改質、エポキシ樹脂の重合、LB膜の電子線重合及び、薄層試料の電子線線量測定の研究等である。

報告書

Studies on surface chemical states of some metals and ceramics bombarded with energetic light-ion

馬場 祐治

JAERI 1304, 76 Pages, 1987/02

JAERI-1304.pdf:3.1MB

keVオーダーの軽イオン衝撃した金属およびセラミックスの表面化学状態変化およびその機構を、XPS,AES.SIMSにより解析した。H$$^{+2}$$衝撃したSc,Ti,V,Y,Zr,NbではXPSスペクトルの内殻ケミカルシフトおよび価電子帯領域のMetal-Hピークにより水素化物の形成が認められた。得られた水素化物層は熱化学的に合成した水素化物に比べ、より高温まで安定である。一方、H$$^{+2}$$衝撃したSiC,Si$$_{3}$$N$$_{4}$$,SiO$$_{2}$$表面はそれぞれ炭素、ケイ素、ケイ素過剰となる。またH$$^{+2}$$,D$$^{+2}$$,He$$^{+e}$$衝撃によりTiC,TiN,TiO$$_{2}$$表面はチタン過剰となる。重照射下におけるにTiC表面のC/Ti比およびSIMSスペクトルのTi$$^{+}$$/C$$^{+}$$比の入射エネルギー依存性は、チタンおよびグラファイトのスバッター収率の比と対応することから組成変化は構成元素のスパッターに帰因することが明らかになった。

論文

The Reactions of the photochemically produced electron in aqueous hexacyanoferrate(II) solutions

大野 新一

Bulletin of the Chemical Society of Japan, 40(9), p.2035 - 2038, 1967/00

https://doi.org/10.1246/bcsj.40.2035
 被引用回数：9

抄録なし

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